04
闸流体效应
(1)是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到一定程度,电流产生突变。
(2)产生闸流体现象原因是发光材料外延片生长时出现了反向夹层,有此现象的LED在IF=20MA时测试的正向压降有隐藏性,在使用过程是出于两极电压不够大,表现为不亮,可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线,也可以通过小电流IF=10UA下的正向压降来发现,小电流下的正向压降明显偏大,则可能是该问题所致。
05
反向漏电流IR
在限定条件下反向漏电流为二极管的基本特性,按LED以前的常规规定,指反向电压在5V时的反向漏电流。随着发光二极管性能的提高,反向漏电流会越来越小。IR越小越好,产生原因为电子的不规则移动。
(1)芯片本身品质问题原因,可能晶片本身切割异常所导致。
(2)银胶点的太多,严重时会导致短路。外延造成的反向漏电主要由PN结内部结构缺陷所致,芯片制作过程中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液调配银胶。以防止银胶通过毛细现象爬到结区。
(3)静电击伤。外延材料,芯片制作,器件封装,测试一般5V下反向漏电流为10UA,也可以固定反向电流下测试反向电压。不同类型的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可达到一百多伏,而普红芯片则在十几二十伏之间。
(4)焊线压力控制不当,造成晶片内崩导致IR升高。
解决方案
(1)银胶胶量需控制在晶片高度的1/3~1/2;
(2)人体及机台静电量需控制在50V以下;
(3)焊线第一点的压力应控制在30~45g之间为佳。
06
死灯现象
(1)LED的漏电流过大造成PN结失效,使LED灯点不亮,这种情况一般不会影响其他的LED灯的工作。
(2)LED灯的内部连接引线断开,造成LED无电流通过而产生死灯,这种情况会影响其他的LED灯的正常工作,原因是由于LED灯工作电压低(红黄橙LED工作电压1.8v-2.2v,蓝绿白LED工作电压2.8-3.2v),一般都要用串、并联来联接,来适应不同的工作电压,串联的LED灯越多影响越大,只要其中有一个LED灯内部连线开路,将造成该串联电路的整串LED灯不亮,可见这种情况比第一种情况要严重的多。
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