单晶蓝宝石(Sapphire)与氮化镓(GaN)属于硬脆性材料(抗拉强度接近钢铁),因此很难被切割分成单体的LED器件。采用传统的机械锯片切割这些材料时容易带来晶圆崩边、微裂纹、分层等损伤,所以采用锯片切割LED晶圆,单体之间必须保留较宽的宽度才能避免切割开裂将伤及LED器件,这样就很大程度上降低了LED晶圆的产出效率。
激光加工是非接触式加工,作为传统机械锯片切割的替代工艺,激光划片切口非常小,聚焦后的激光微细光斑作用在晶圆表面,迅速气化材料,在LED有源区之间制造非常细小的切口,从而能够在有限面积的晶圆上切割出更多LED单体。激光划片对砷化镓(GaAs)以及其他脆性化合物半导体晶圆材料尤为擅长。激光加工LED晶圆,典型的划片深度为衬底厚度的1/3到1/2,这样分割就能够得到干净的断裂面,制造窄而深的激光划片裂缝同时要保证高速的划片速度,这就要求激光器具备窄脉宽、高光束质量、高峰值功率、高重复频率等优良品质。
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